ULQ2001A,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ULQ2001A - 

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

  • 非库存货
STMicroelectronics ULQ2001A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ULQ2001A
仓库库存编号:
ULQ2001A-ND
描述:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-DIP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

ULQ2001A产品属性


产品规格
  封装/外壳  16-DIP(0.300",7.62mm)  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  16-DIP  
  晶体管类型  7 NPN 达林顿  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  1000 @ 350mA,2V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  -  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  1.6V @ 500μA,350mA  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  -  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 ULQ200x
其它有关文件 ULQ2001 View All Specifications
标准包装 25

ULQ2001A相关搜索

封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  STMicroelectronics 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 STMicroelectronics   安装类型 通孔  STMicroelectronics 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  STMicroelectronics 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   STMicroelectronics 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-DIP  STMicroelectronics 供应商器件封装 16-DIP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-DIP  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-DIP   晶体管类型 7 NPN 达林顿  STMicroelectronics 晶体管类型 7 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V  STMicroelectronics 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 350mA,2V   电流 - 集电极截止(最大值) -  STMicroelectronics 电流 - 集电极截止(最大值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) -   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 500μA,350mA  STMicroelectronics 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 500μA,350mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 500μA,350mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.6V @ 500μA,350mA   频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 -  STMicroelectronics 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  STMicroelectronics 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  STMicroelectronics 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  STMicroelectronics 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号