BC338-40 A1G,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BC338-40 A1G
BC338-40 A1G -
TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A
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制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号：
BC338-40 A1G
仓库库存编号：
BC338-40 A1G-ND
描述：
TRANSISTOR, NPN, 25V, 0.8A, 250A
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 800mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BC338-40 A1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92
晶体管类型
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25V
Power - Max
625mW
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
700mV @ 50mA，500mA
频率 - 跃迁
100MHz
关键词
产品资料
数据列表
BC337-(16,25,40), BC338-(16,25,40)
标准包装
4,000
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封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 通孔
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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零件状态 在售
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-92
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-92
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92
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晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
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Power - Max 625mW
Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 625mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 625mW
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电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 50mA，500mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 50mA，500mA
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