BC848CW RFG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BC848CW RFG
BC848CW RFG -
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
BC848CW RFG
仓库库存编号:
BC848CW RFG-ND
描述:
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 420A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BC848CW RFG产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
420 @ 2mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Power - Max
200mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
600mV @ 5mA,100mA
频率 - 跃迁
100MHz
关键词
产品资料
数据列表
BC846(A,B,C)W - BC850(A,B,C)W
标准包装
3,000
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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零件状态 在售
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-323
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-323
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-323
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晶体管类型 NPN
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
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不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 420 @ 2mA,5V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
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Power - Max 200mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
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