BC856A RFG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BC856A RFG - 

TRANSISTOR, PNP, -65V, -0.1A, 12

  • 新产品 
  • 非库存货
Taiwan Semiconductor Corporation BC856A RFG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BC856A RFG
仓库库存编号：
BC856A RFG-ND
描述：
TRANSISTOR, PNP, -65V, -0.1A, 12
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-23
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BC856A RFG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  125 @ 2mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  65V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  650mV @ 5mA，100mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BC856(A,B), BC857(A,B,C), 858(A,B,C)
标准包装 3,000

BC856A RFG相关搜索

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23   晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 2mA，5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 2mA，5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 125 @ 2mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V  Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V   Power - Max 200mW  Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Taiwan Semiconductor Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 650mV @ 5mA，100mA   频率 - 跃迁 100MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号