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BZD27C18PHRQG
BZD27C18PHRQG -
DIODE, ZENER, 18V, 1000MW, %, AE
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制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
BZD27C18PHRQG
仓库库存编号:
BZD27C18PHRQG-ND
描述:
DIODE, ZENER, 18V, 1000MW, %, AE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Zener Diode 1W ±6.4% Surface Mount Sub SMA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZD27C18PHRQG产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-219AB
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
Sub SMA
容差
±6.4%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 13V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.2V @ 200mA
Power - Max
1W
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
17.95V
阻抗(最大值)(Zzt)
15 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZD27C6V8P - BZD27C220P
标准包装
10,000
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封装/外壳 DO-219AB
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 DO-219AB
二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-219AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101
Taiwan Semiconductor Corporation 系列 汽车级,AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 带卷(TR)
Taiwan Semiconductor Corporation 包装 带卷(TR)
二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 Sub SMA
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 Sub SMA
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 Sub SMA
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 Sub SMA
容差 ±6.4%
Taiwan Semiconductor Corporation 容差 ±6.4%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±6.4%
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±6.4%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 13V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 13V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 13V
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 13V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.2V @ 200mA
Power - Max 1W
Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 1W
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 1W
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 1W
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 17.95V
Taiwan Semiconductor Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 17.95V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 17.95V
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 17.95V
阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
Taiwan Semiconductor Corporation 阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 15 Ohms
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