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BZS55B2V7 RXG
BZS55B2V7 RXG -
DIODE, ZENER, 2.7V, 500MW, 2%, 1
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制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
BZS55B2V7 RXG
仓库库存编号:
BZS55B2V7 RXG-ND
描述:
DIODE, ZENER, 2.7V, 500MW, 2%, 1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Zener Diode 500mW ±2% Surface Mount 1206
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BZS55B2V7 RXG产品属性
产品规格
封装/外壳
1206(3216 公制)
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
1206
容差
±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.5V @ 10mA
Power - Max
500mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
2.7V
阻抗(最大值)(Zzt)
85 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
BZS55B2V4 - BZS55B36
标准包装
5,000
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制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
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二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
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安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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零件状态 在售
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供应商器件封装 1206
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 1206
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 1206
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容差 ±2%
Taiwan Semiconductor Corporation 容差 ±2%
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 10mA
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 10mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 10mA
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 10mA
Power - Max 500mW
Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 500mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW
Taiwan Semiconductor Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 2.7V
Taiwan Semiconductor Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 2.7V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 2.7V
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阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
Taiwan Semiconductor Corporation 阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 85 Ohms
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