KTC3198-GR B1G,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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KTC3198-GR B1G
KTC3198-GR B1G -
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 120
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制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
KTC3198-GR B1G
仓库库存编号:
KTC3198-GR B1G-ND
描述:
TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.15A, 120
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 500mW Through Hole TO-92
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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KTC3198-GR B1G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
70 @ 2mA,6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Power - Max
500mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
150mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 10mA,100mA
频率 - 跃迁
80MHz
关键词
产品资料
数据列表
KTC3198-(O,Y,GR,BL)
标准包装
5,000
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
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安装类型 通孔
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-92
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-92
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92
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晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 2mA,6V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 2mA,6V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 2mA,6V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Power - Max 500mW
Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 500mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 80MHz
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