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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	-Reel?
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-23
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	MMBT3904
标准包装	1
其它名称	MMBT3904 RFGDKR

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 -Reel?   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 -Reel?    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23   晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 300mW  Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Taiwan Semiconductor Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 250MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz