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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-92
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 1mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 10mA，50mA
频率 - 跃迁	50MHz
关键词

产品资料

标准包装	10,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-92  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-92  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92   晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V   Power - Max 1W  Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Taiwan Semiconductor Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 150mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 10mA，50mA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 10mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 10mA，50mA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 10mA，50mA   频率 - 跃迁 50MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 频率 - 跃迁 50MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz