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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-252，（D-Pak）
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 100mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Power - Max	30W
电流 - 集电极截止（最大值）	250μA
Current - Collector (Ic) (Max)	2.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	3V @ 600mA，2A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）   晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 100mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V   Power - Max 30W  Taiwan Semiconductor Corporation Power - Max 30W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 30W  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 30W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  Taiwan Semiconductor Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 600mA，2A  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 600mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 600mA，2A  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 3V @ 600mA，2A   频率 - 跃迁 -  Taiwan Semiconductor Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -