TSC873CW RPG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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TSC873CW RPG
TSC873CW RPG -
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 80A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
TSC873CW RPG
仓库库存编号:
TSC873CW RPGCT-ND
描述:
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 80A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 300mA Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TSC873CW RPG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
80 @ 250mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
电流 - 集电极截止(最大值)
1mA
Current - Collector (Ic) (Max)
300mA
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 250mA,1A
频率 - 跃迁
-
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数据列表
TSC873
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封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
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安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-223
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 250mA,10V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 250mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 250mA,10V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 80 @ 250mA,10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Taiwan Semiconductor Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1mA
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Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 250mA,1A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 250mA,1A
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