TSM042N03CS RLG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TSM042N03CS RLG
TSM042N03CS RLG -
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
TSM042N03CS RLG
仓库库存编号:
TSM042N03CS RLGTR-ND
描述:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 7W(Tc) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TSM042N03CS RLG产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
24nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 12A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
30A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2200pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
7W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
TSM042N03CS
标准包装
2,500
其它名称
TSM042N03CS RLGTR
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 175°C(TJ)
Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-SOP
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 8-SOP
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP
技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Taiwan Semiconductor Corporation Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 12A,10V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 12A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 12A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Taiwan Semiconductor Corporation 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2200pF @ 25V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 7W(Tc)
Taiwan Semiconductor Corporation 功率耗散(最大值) 7W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 7W(Tc)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 7W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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