TSM060N03ECP ROG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TSM060N03ECP ROG - 

MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP ROG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号：
TSM060N03ECP ROGDKR-ND
描述：
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。


数据正在加载中...

TSM060N03ECP ROG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  -Reel?   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-252，（D-Pak）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  11.1nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  6 毫欧 @ 20A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  4.5V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  70A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1210pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  54W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  30V  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM060N03ECP
标准包装 1
其它名称 TSM060N03ECP ROGDKR

TSM060N03ECP ROG相关搜索

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 -Reel?   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 -Reel?    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Taiwan Semiconductor Corporation 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Taiwan Semiconductor Corporation Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.1nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.1nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.1nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.1nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 20A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 20A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 6 毫欧 @ 20A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 70A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1210pF @ 25V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1210pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1210pF @ 25V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1210pF @ 25V   FET 功能 -  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 54W（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 功率耗散（最大值） 54W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 54W（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 54W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

MOSFET 30V 70Amp N channel Power Mosfet with ESD protection

RoHS: Compliant

搜索
  日本1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

Unidentified

搜索
  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM060N03ECP ROG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Taiwan Semiconductor Corporation - TSM060N03ECP ROG - MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGTR-ND
别名：TSM060N03ECP ROGTR <br>

无铅		搜索

Taiwan Semiconductor Corporation - TSM060N03ECP ROG - MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGCT-ND
别名：TSM060N03ECP ROGCT <br>

无铅		搜索

Taiwan Semiconductor Corporation - TSM060N03ECP ROG - MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 54W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：TSM060N03ECP ROG
仓库库存编号：TSM060N03ECP ROGDKR-ND
别名：TSM060N03ECP ROGDKR <br>

无铅		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示