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产品规格

封装/外壳	8-PowerWDFN
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-PDFN（3x3）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	29.3nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	15 毫欧 @ 10A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	36A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1829pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	27.8W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	TSM150P03PQ33
标准包装	5,000
其它名称	TSM150P03PQ33 RGGTR

封装/外壳 8-PowerWDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Taiwan Semiconductor Corporation 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Taiwan Semiconductor Corporation Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29.3nC @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29.3nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29.3nC @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29.3nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 15 毫欧 @ 10A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 15 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 15 毫欧 @ 10A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 15 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 P 沟道  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1829pF @ 15V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1829pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1829pF @ 15V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1829pF @ 15V   FET 功能 -  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 27.8W（Tc）   漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V