TSM200N03DPQ33 RGG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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TSM200N03DPQ33 RGG - 

MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03DPQ33 RGG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：
TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND
描述：
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
TSM200N03DPQ33-RGG
库存编号:TSM200N03DPQ33RGGDKR-ND		 Taiwan Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN12879
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
2000+
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￥7.18
￥11.59
￥3.8
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￥2.95
6-10天购买 购买
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TSM200N03DPQ33-RGG
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500+
1000+
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￥11.59
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TSM200N03DPQ33-RGG
库存编号:TSM200N03DPQ33RGGTR-ND		 Taiwan Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN5000
5000起订		5000+
￥2.55
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
TSM200N03DPQ33 RGG
库存编号:821-TSM200N03DPQ33RG		 Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET7874
1起订		1+
10+
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1000+
2500+
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10000+
￥8.28
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
TSM200N03DPQ33 RGG
库存编号:TSM200N03DPQ33 RGG		 Taiwan Semiconductor Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 20A 8-Pin PDFN33 T/R - Tape and Reel (Alt: TSM200N03DPQ33 RGG)0
15000起订		15000+
25000+
40000+
75000+
150000+
￥2.47
￥2.41
￥2.34
￥2.26
￥2.23
1-2周询价 询价

TSM200N03DPQ33 RGG产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerWDFN  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  -Reel?   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-PDFN（3x3）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  20 毫欧 @ 10A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  20A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  345pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  20W  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM200N03D
标准包装 1
其它名称 TSM200N03DPQ33 RGGDKR

TSM200N03DPQ33 RGG相关搜索

封装/外壳 8-PowerWDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 -Reel?   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 -Reel?   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 -Reel?    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PDFN（3x3）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 4nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 10A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V   FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 20W  Taiwan Semiconductor Corporation 功率 - 最大值 20W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20W  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 20W  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

MOSFET MOSFET, Dual, N-Ch Trench, 30V, 20A

RoHS: Compliant

搜索
  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin P-DFN EP T/R

RoHS: Compliant

搜索
TSM200N03DPQ33 RGG
[更多]		 Taiwan Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin P-DFN EP T/R

RoHS: Compliant

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Taiwan Semiconductor Corporation - TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)

型号：TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：TSM200N03DPQ33 RGGTR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGTR <br>

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Taiwan Semiconductor Corporation - TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)

型号：TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：TSM200N03DPQ33 RGGCT-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGCT <br>

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Taiwan Semiconductor Corporation - TSM200N03DPQ33 RGG - MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)

型号：TSM200N03DPQ33 RGG
仓库库存编号：TSM200N03DPQ33 RGGDKR-ND
别名：TSM200N03DPQ33 RGGDKR <br>

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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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