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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-26
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	15.23nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	140 毫欧 @ 2.2A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.2A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	882.51pF @ 6V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	1.15W
关键词

产品资料

数据列表	TSM3911D
标准包装	1
其它名称	TSM3911DCX6 RFGCT

封装/外壳 SOT-23-6  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-26  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-26  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-26  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-26   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.23nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.23nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.23nC @ 4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15.23nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 2.2A，4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 2.2A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 2.2A，4.5V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 2.2A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.2A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 882.51pF @ 6V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 882.51pF @ 6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 882.51pF @ 6V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 882.51pF @ 6V   FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 950mV @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 1.15W  Taiwan Semiconductor Corporation 功率 - 最大值 1.15W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.15W  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.15W