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TSM60NB190CZ C0G - 

MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CZ C0G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TSM60NB190CZ C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CZ C0G-ND
描述:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 18A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TSM60NB190CZ C0G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  31nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  190 毫欧 @ 6A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  18A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1273pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  33.8W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM60NB190CI, TSM60NB190CZ
标准包装 50

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