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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-PDFN（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	16.4nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	68 毫欧 @ 6A，10V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	870pF @ 30V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	3.5W
关键词

产品资料

数据列表	TSM680P06D
标准包装	1
其它名称	TSM680P06DPQ56 RLGCT

封装/外壳 8-PowerTDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation   安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Taiwan Semiconductor Corporation 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-PDFN（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16.4nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 68 毫欧 @ 6A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 68 毫欧 @ 6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 68 毫欧 @ 6A，10V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 68 毫欧 @ 6A，10V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 30V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 30V   FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Taiwan Semiconductor Corporation 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 3.5W  Taiwan Semiconductor Corporation 功率 - 最大值 3.5W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.5W  Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.5W