TSM680P06DPQ56 RLG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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TSM680P06DPQ56 RLG - 

MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -60V, -

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06DPQ56 RLG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TSM680P06DPQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
描述:
MOSFET, DUAL, P-CHANNEL, -60V, -
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TSM680P06DPQ56 RLG产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  -Reel?   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-PDFN(5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  16.4nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  68 毫欧 @ 6A,10V  
  FET 类型  2 个 P 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  12A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  870pF @ 30V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  60V  
  功率 - 最大值  3.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM680P06D
标准包装 1
其它名称 TSM680P06DPQ56 RLGDKR

TSM680P06DPQ56 RLG相关搜索

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