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BQ4010YMA-150N
BQ4010YMA-150N -
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
已过时的产品。
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号：
BQ4010YMA-150N
仓库库存编号：
296-32843-5-ND
描述：
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
订购热线：
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BQ4010YMA-150N产品属性
产品规格
封装/外壳
28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
制造商
Texas Instruments
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
系列
-
包装
托盘
零件状态
过期
电压 - 电源
4.5 V ~ 5.5 V
供应商器件封装
28-DIP 模块（18.42x37.72）
存储容量
64Kb （8K x 8）
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储器类型
非易失
访问时间
150ns
写周期时间 - 字，页
150ns
存储器格式
NVSRAM
存储器接口
并联
关键词
产品资料
标准包装
14
其它名称
296-32843-5
BQ4010YMA-150N-ND
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制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 制造商 Texas Instruments
存储器 制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 存储器 制造商 Texas Instruments
安装类型 通孔
Texas Instruments 安装类型 通孔
存储器 安装类型 通孔
Texas Instruments 存储器 安装类型 通孔
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
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存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
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包装 托盘
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零件状态 过期
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电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
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存储容量 64Kb （8K x 8）
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存储器 存储容量 64Kb （8K x 8）
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技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）
Texas Instruments 技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储器 技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）
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存储器类型 非易失
Texas Instruments 存储器类型 非易失
存储器 存储器类型 非易失
Texas Instruments 存储器 存储器类型 非易失
访问时间 150ns
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存储器 访问时间 150ns
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写周期时间 - 字，页 150ns
Texas Instruments 写周期时间 - 字，页 150ns
存储器 写周期时间 - 字，页 150ns
Texas Instruments 存储器 写周期时间 - 字，页 150ns
存储器格式 NVSRAM
Texas Instruments 存储器格式 NVSRAM
存储器 存储器格式 NVSRAM
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存储器接口 并联
Texas Instruments 存储器接口 并联
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