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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	NexFET??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-VSON（5x6）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	+10V，-8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	18.3nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3.4 毫欧 @ 30A，8V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，8V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	29A（Ta），100A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2600pF @ 15V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.6V @ 250μA
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	CSD17305Q5A
视频文件	NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
制造商产品页	CSD17305Q5A Specifications
标准包装	1
其它名称	296-25855-1

封装/外壳 8-PowerTDFN  Texas Instruments 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-VSON（5x6）  Texas Instruments 供应商器件封装 8-VSON（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-VSON（5x6）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-VSON（5x6）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） +10V，-8V  Texas Instruments Vgs（最大值） +10V，-8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-8V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +10V，-8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.3nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，8V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，8V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，8V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V  Texas Instruments 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V   FET 类型 N 沟道  Texas Instruments FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Ta），100A（Tc）  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Ta），100A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Ta），100A（Tc）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 29A（Ta），100A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2600pF @ 15V   FET 功能 -  Texas Instruments FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA   功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）  Texas Instruments 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V