CSD17551Q5A,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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CSD17551Q5A
CSD17551Q5A -
MOSFET N-CH 30V 8SON
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD17551Q5A
仓库库存编号:
296-30612-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 8SON
ROHS:
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CSD17551Q5A产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN
制造商
Texas Instruments
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
NexFET??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-VSON(5x6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
7.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.8 毫欧 @ 11A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
48A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1272pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
CSD17551Q5A
制造商产品页
CSD17551Q5A Specifications
标准包装
1
其它名称
296-30612-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:455-1648
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型号:
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