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CSD18537NQ5AT
CSD18537NQ5AT -
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD18537NQ5AT
仓库库存编号:
296-37747-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),75W(Tc) 8-VSON(5x6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CSD18537NQ5AT产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN
制造商
Texas Instruments
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
NexFET??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-VSON(5x6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 12A、 10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
50A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1480pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),75W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
CSD18537NQ5A
Motor Drive and Control Solutions
制造商产品页
CSD18537NQ5AT Specifications
标准包装
1
其它名称
296-37747-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),50A(Tc) 3.2W(Ta),75W(Tc) 8-SON(5x6)
型号:
CSD18537NQ5A
仓库库存编号:
296-36455-1-ND
别名:296-36455-1
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 50 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19534Q5A
仓库库存编号:
296-43636-1-ND
别名:296-43636-1
含铅
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN
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制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 制造商 Texas Instruments
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments
安装类型 表面贴装
Texas Instruments 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 NexFET??
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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供应商器件封装 8-VSON(5x6)
Texas Instruments 供应商器件封装 8-VSON(5x6)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1480pF @ 30V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),75W(Tc)
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Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),75W(Tc)
漏源电压(Vdss) 60V
Texas Instruments 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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