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CSD19501KCS
CSD19501KCS -
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD19501KCS
仓库库存编号:
296-37286-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
ROHS:
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 100A(Ta) 217W(Tc) TO-220-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CSD19501KCS产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Texas Instruments
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
NexFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
6.6 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3980pF @ 40V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
217W(Tc)
漏源电压(Vdss)
80V
关键词
产品资料
数据列表
CSD19501KCS
制造商产品页
CSD19501KCS Specifications
标准包装
50
其它名称
296-37286-5
CSD19501KCS-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 214W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19531KCS
仓库库存编号:
296-37480-5-ND
别名:296-37480-5
CSD19531KCS-ND
含铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19535KCS
仓库库存编号:
296-37288-5-ND
别名:296-37288-5
CSD19535KCS-ND
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 80V
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