CSD19536KTTT,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CSD19536KTTT - 

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

Texas Instruments CSD19536KTTT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD19536KTTT
仓库库存编号：
296-41136-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
ROHS：
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
2（1 年）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CSD19536KTTT产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DDPAK/TO-263-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  153nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.4 毫欧 @ 100A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  200A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  12000pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.2V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  375W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD19536KTT
制造商产品页 CSD19536KTTT Specifications
标准包装 1
其它名称 296-41136-1

CSD19536KTTT您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

CSD19536KTTT相关搜索

封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA  Texas Instruments 封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3  Texas Instruments 供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Texas Instruments Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 153nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  Texas Instruments 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V   FET 类型 N 沟道  Texas Instruments FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Ta）  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 200A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 50V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 50V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 50V   FET 功能 -  Texas Instruments FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.2V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.2V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.2V @ 250μA   功率耗散（最大值） 375W（Tc）  Texas Instruments 功率耗散（最大值） 375W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 375W（Tc）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 375W（Tc）   漏源电压（Vdss） 100V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 100V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号