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CSD22205L - 

8V P-CHANNEL FEMTOFET

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Texas Instruments CSD22205L
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制造商产品编号：
CSD22205L
仓库库存编号：
CSD22205L-ND
描述：
8V P-CHANNEL FEMTOFET
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 600mW（Ta）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
CSD22205LT
库存编号:296-47093-6-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR29845
1起订		1+
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CSD22205LT
库存编号:296-47093-1-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR29845
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￥7.23
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CSD22205LT
库存编号:296-47093-2-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR29500
250起订		250+
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CSD22205L
库存编号:296-49605-6-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR7237
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CSD22205L
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CSD22205L
库存编号:296-49605-2-ND		 Texas Instruments MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR6000
3000起订		3000+
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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
CSD22205L
库存编号:595-CSD22205L		 Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A 595-CSD22205LT4058
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CSD22205LT
库存编号:595-CSD22205LT		 Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A 595-CSD22205L3932
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￥4.91
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
CSD22205LT
库存编号:CSD22205LT		 Texas Instruments Transistor: P-MOSFET, unipolar, -8V, -7.4A, Idm: -71A, 0.6W0
1起订		1+
5+
25+
100+
250+
￥12.3
￥11.07
￥9.78
￥8.78
￥8.2
1-3周询价 询价

CSD22205L产品属性


产品规格
  封装/外壳  4-XFDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  零件状态  在售  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  -6V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  8.5nC @ 4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7.4A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1390pF @ 4V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.05V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  600mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  8V  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD22205L Datasheet
标准包装 3,000

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封装/外壳 4-XFDFN  Texas Instruments 封装/外壳 4-XFDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-XFDFN  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 4-XFDFN   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 NexFET??   零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） -6V  Texas Instruments Vgs（最大值） -6V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -6V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -6V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.5nC @ 4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V  Texas Instruments 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V   FET 类型 P 沟道  Texas Instruments FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.4A（Ta）  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.4A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.4A（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.4A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1390pF @ 4V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1390pF @ 4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1390pF @ 4V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1390pF @ 4V   FET 功能 -  Texas Instruments FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.05V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.05V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.05V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.05V @ 250μA   功率耗散（最大值） 600mW（Ta）  Texas Instruments 功率耗散（最大值） 600mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 600mW（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 600mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 8V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 8V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 8V  
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MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

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MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET

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MOSFET 8V P-CHANNEL FEMTOFET

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Trans MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-Pin PICOSTAR T/R

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Trans MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-Pin PICOSTAR T/R (Alt: CSD22205L)

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Trans MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-Pin PICOSTAR T/R - Tape and Reel (Alt: CSD22205L)

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P-Channel NexFET Power MOSFET 8V 8.2mOhm 4-Pin PICOSTAR T/R (Alt: CSD22205LT)

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P-Channel NexFET Power MOSFET 8V 8.2mOhm 4-Pin PICOSTAR T/R - Tape and Reel (Alt: CSD22205LT)

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Texas Instruments - CSD22205L - 8V P-CHANNEL FEMTOFET		Texas Instruments
8V P-CHANNEL FEMTOFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.4A（Ta） 600mW（Ta）

型号：CSD22205L
仓库库存编号：CSD22205L-ND

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