CSD25310Q2,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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CSD25310Q2
CSD25310Q2 -
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD25310Q2
仓库库存编号:
296-38915-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
P 沟道 20A(Ta) 2.9W(Ta) 6-WSON(2x2)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CSD25310Q2产品属性
产品规格
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
制造商
Texas Instruments
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
NexFET??
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
6-WSON(2x2)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4.7nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
23.9 毫欧 @ 5A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
655pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.9W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
CSD25310Q2
制造商产品页
CSD25310Q2 Specifications
标准包装
1
其它名称
296-38915-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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