CSD25483F4,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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CSD25483F4
CSD25483F4 -
MOSFET P-CH 20V LGA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD25483F4
仓库库存编号:
296-38917-2-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V LGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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CSD25483F4产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFDFN
制造商
Texas Instruments
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
NexFET??
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
3-PICOSTAR
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
-12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.959nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
205 毫欧 @ 500mA,8V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
198pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
CSD25483F4
制造商产品页
CSD25483F4 Specifications
标准包装
3,000
其它名称
296-38917-2
CSD25483F4-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
ECS Inc.
CRYSTAL 32.7680KHZ 7PF SMD
详细描述:32.768kHz ±20ppm 晶体 7pF 90 千欧 -40°C ~ 85°C 表面贴装 2-SMD,无引线
型号:
ECS-.327-7-12-TR
仓库库存编号:
XC1946CT-ND
别名:XC1946CT
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) VML0806
型号:
RV1C001ZPT2L
仓库库存编号:
RV1C001ZPT2LCT-ND
别名:RV1C001ZPT2LCT
无铅
搜索
Texas Instruments
USB OTG COMPANION DEVICE
型号:
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仓库库存编号:
296-39348-1-ND
别名:296-39348-1
无铅
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Nexperia USA Inc.
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型号:
PMZ1200UPEYL
仓库库存编号:
1727-2315-1-ND
别名:1727-2315-1
568-12601-1
568-12601-1-ND
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制造商 Texas Instruments
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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