CSD25483F4T,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
CSD25483F4T
CSD25483F4T -
MOSFET P-CH 20V LGA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD25483F4T
仓库库存编号:
296-37783-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V LGA
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
CSD25483F4T产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFDFN
制造商
Texas Instruments
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
FemtoFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
3-PICOSTAR
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
-12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.96nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
205 毫欧 @ 500mA,8V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
198pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
CSD25483F4
制造商产品页
CSD25483F4T Specifications
标准包装
1
其它名称
296-37783-1
CSD25483F4T您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microchip Technology
IC REG LIN POS ADJ 300MA SOT23-5
详细描述:Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable Output 0.8 V ~ 5 V 300mA SOT-23-5
型号:
MCP1824T-ADJE/OT
仓库库存编号:
MCP1824T-ADJE/OTCT-ND
别名:MCP1824T-ADJE/OTCT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 350mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN26D0UFB4-7
仓库库存编号:
DMN26D0UFB4-7DICT-ND
别名:DMN26D0UFB4-7DICT
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
IC REG BOOST ADJ 0.31A SOT25-5
详细描述:可调式 升压 开关稳压器 IC 正 2.5V 1 输出 310mA(开关) SC-74A,SOT-753
型号:
XC9119D10AMR-G
仓库库存编号:
893-1165-1-ND
别名:893-1165-1
无铅
搜索
CNC Tech
BOX HEADER, 0.050 10 POS
详细描述:10 位 接头 连接器 0.050"(1.27mm) 通孔,直角 金
型号:
3220-10-0200-00
仓库库存编号:
1175-1628-ND
别名:1175-1628
3220-10-0200-00-ND
无铅
搜索
CSD25483F4T相关搜索
封装/外壳 3-XFDFN
Texas Instruments 封装/外壳 3-XFDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN
制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 制造商 Texas Instruments
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments
安装类型 表面贴装
Texas Instruments 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 FemtoFET?
Texas Instruments 系列 FemtoFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 FemtoFET?
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 FemtoFET?
包装 剪切带(CT)
Texas Instruments 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Texas Instruments 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 3-PICOSTAR
Texas Instruments 供应商器件封装 3-PICOSTAR
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-PICOSTAR
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 3-PICOSTAR
技术 MOSFET(金属氧化物)
Texas Instruments 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) -12V
Texas Instruments Vgs(最大值) -12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) -12V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) -12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.96nC @ 4.5V
Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.96nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.96nC @ 4.5V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.96nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 205 毫欧 @ 500mA,8V
Texas Instruments 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 205 毫欧 @ 500mA,8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 205 毫欧 @ 500mA,8V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 205 毫欧 @ 500mA,8V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Texas Instruments 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
FET 类型 P 沟道
Texas Instruments FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
Texas Instruments 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 198pF @ 10V
Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 198pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 198pF @ 10V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 198pF @ 10V
FET 功能 -
Texas Instruments FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Texas Instruments 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Texas Instruments 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号