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产品规格

封装/外壳	6-UFBGA，DSBGA
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	NexFET??
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-DSBGA（1x1.5）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2.1nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	100 毫欧 @ 1A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.2A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	195pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	800mW
关键词

产品资料

视频文件	NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装	1
其它名称	296-24261-1

封装/外壳 6-UFBGA，DSBGA  Texas Instruments 封装/外壳 6-UFBGA，DSBGA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UFBGA，DSBGA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UFBGA，DSBGA   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Texas Instruments 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 6-DSBGA（1x1.5）  Texas Instruments 供应商器件封装 6-DSBGA（1x1.5）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-DSBGA（1x1.5）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-DSBGA（1x1.5）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 1A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Texas Instruments FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.2A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 195pF @ 10V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 195pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 195pF @ 10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 195pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 800mW  Texas Instruments 功率 - 最大值 800mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 800mW