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CSD85312Q3E - 

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Texas Instruments CSD85312Q3E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD85312Q3E
仓库库存编号：
296-37187-1-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CSD85312Q3E产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerVDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-VSON（3.3x3.3）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  15.2nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  12.4 毫欧 @ 10A，8V  
  FET 类型  2 N 沟道（双）共源  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  39A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2390pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平栅极，5V 驱动  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.4V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  20V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD85312Q3E
制造商产品页 CSD85312Q3E Specifications
标准包装 1
其它名称 296-37187-1

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