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CSD86330Q3D - 

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Texas Instruments CSD86330Q3D
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD86330Q3D
仓库库存编号：
296-28216-1-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
ROHS：
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CSD86330Q3D产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerLDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-LSON（5x6）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  6.2nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  9.6 毫欧 @ 14A，8V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  20A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  920pF @ 12.5V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  25V  
  功率 - 最大值  6W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD86330Q3D
视频文件 PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装 1
其它名称 296-28216-1

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