CSD86360Q5D,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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CSD86360Q5D - 

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

Texas Instruments CSD86360Q5D
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CSD86360Q5D
仓库库存编号:
296-35026-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
ROHS:
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 50A 13W Surface Mount 8-LSON (5x6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD86360Q5D产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerLDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-LSON(5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  12.6nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  50A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2060pF @ 12.5  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.1V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  25V  
  功率 - 最大值  13W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD86360Q5D
制造商产品页 CSD86360Q5D Specifications
标准包装 1
其它名称 296-35026-1

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