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CSD87312Q3E - 

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Texas Instruments CSD87312Q3E
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CSD87312Q3E
仓库库存编号:
296-35526-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
ROHS:
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

CSD87312Q3E产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-VSON(3.3x3.3)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  8.2nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  33 毫欧 @ 7A,8V  
  FET 类型  2 N 沟道(双)共源  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  27A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1250pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.3V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  2.5W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD87312Q3E
制造商产品页 CSD87312Q3E Specifications
标准包装 1
其它名称 296-35526-1

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