关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	8-PowerLDFN
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	NexFET??
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-LSON（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	7.7nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	7.6 毫欧 @ 20A，8V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	32A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1255pF @ 15V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	12W
关键词

产品资料

数据列表	CSD87351Q5D
视频文件	PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装	1
其它名称	296-28327-1

封装/外壳 8-PowerLDFN  Texas Instruments 封装/外壳 8-PowerLDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerLDFN  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerLDFN   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 NexFET??   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-LSON（5x6）  Texas Instruments 供应商器件封装 8-LSON（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-LSON（5x6）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-LSON（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.7nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.6 毫欧 @ 20A，8V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.6 毫欧 @ 20A，8V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.6 毫欧 @ 20A，8V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 7.6 毫欧 @ 20A，8V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Texas Instruments FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1255pF @ 15V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1255pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1255pF @ 15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1255pF @ 15V   FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 12W  Texas Instruments 功率 - 最大值 12W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 12W  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 12W