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CSD88539NDT - 

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Texas Instruments CSD88539NDT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD88539NDT
仓库库存编号：
296-37796-1-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

CSD88539NDT产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  9.4nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  28 毫欧 @ 5A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  15A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  741pF @ 30V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.6V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  2.1W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD88539ND
制造商产品页 CSD88539NDT Specifications
标准包装 1
其它名称 296-37796-1

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