CSD88599Q5DCT,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

CSD88599Q5DCT - 

MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON

Texas Instruments CSD88599Q5DCT
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CSD88599Q5DCT
仓库库存编号:
296-46924-1-ND
描述:
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
ROHS:
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

CSD88599Q5DCT产品属性


产品规格
  封装/外壳  22-PowerTFDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  22-VSON-CLIP (5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  27nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  2.1 毫欧 @ 30A,10V  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4840pF @ 30V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  60V  
  功率 - 最大值  12W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD88599Q5DC Datasheet
制造商产品页 CSD88599Q5DCT Specifications
标准包装 1
其它名称 296-46924-1

CSD88599Q5DCT您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

CSD88599Q5DCT相关搜索

封装/外壳 22-PowerTFDFN  Texas Instruments 封装/外壳 22-PowerTFDFN  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 22-PowerTFDFN  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 22-PowerTFDFN   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Texas Instruments 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 NexFET??  Texas Instruments 系列 NexFET??  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 NexFET??  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 NexFET??   包装 剪切带(CT)   Texas Instruments 包装 剪切带(CT)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)   Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 22-VSON-CLIP (5x6)  Texas Instruments 供应商器件封装 22-VSON-CLIP (5x6)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 22-VSON-CLIP (5x6)  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 22-VSON-CLIP (5x6)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.1 毫欧 @ 30A,10V  Texas Instruments 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.1 毫欧 @ 30A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.1 毫欧 @ 30A,10V  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.1 毫欧 @ 30A,10V   FET 类型 2 个 N 通道(半桥)  Texas Instruments FET 类型 2 个 N 通道(半桥)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道(半桥)  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 通道(半桥)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Texas Instruments 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4840pF @ 30V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4840pF @ 30V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4840pF @ 30V  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4840pF @ 30V   FET 功能 标准  Texas Instruments FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 60V  Texas Instruments 漏源电压(Vdss) 60V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 60V  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 60V   功率 - 最大值 12W  Texas Instruments 功率 - 最大值 12W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 12W  Texas Instruments 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 12W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号