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MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON

Texas Instruments CSD88599Q5DCT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD88599Q5DCT
仓库库存编号：
296-46924-1-ND
描述：
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V 22VSON
ROHS：
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD88599Q5DCT产品属性


产品规格
  封装/外壳  22-PowerTFDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  22-VSON-CLIP (5x6)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  27nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.1 毫欧 @ 30A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  -  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4840pF @ 30V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  12W  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD88599Q5DC Datasheet
制造商产品页 CSD88599Q5DCT Specifications
标准包装 1
其它名称 296-46924-1

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