LM3046MX,Texas Instruments,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

LM3046MX - 

IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC

  • 已过时的产品。
Texas Instruments LM3046MX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
LM3046MX
仓库库存编号：
LM3046MXCT-ND
描述：
IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor 5 NPN 15V 50mA 750mW Surface Mount 14-SOIC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

LM3046MX产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 85°C（TA）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  14-SOIC  
  晶体管类型  5 NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  40 @ 1mA，3V  
  频率 - 跃迁  -  
  功率 - 最大值  750mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  50mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  15V  
  增益  -  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  3.25dB @ 1kHz  
关键词         

产品资料
数据列表 LM3046
制造商产品页 LM3046MX Specifications
标准包装 1
其它名称 LM3046MXCT

LM3046MXROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

LM3046MX相关搜索

封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Texas Instruments 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）   系列 -  Texas Instruments 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Texas Instruments 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 14-SOIC  Texas Instruments 供应商器件封装 14-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC   晶体管类型 5 NPN  Texas Instruments 晶体管类型 5 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 5 NPN  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 5 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1mA，3V  Texas Instruments 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1mA，3V  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 40 @ 1mA，3V   频率 - 跃迁 -  Texas Instruments 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 750mW  Texas Instruments 功率 - 最大值 750mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 750mW  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 750mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Texas Instruments 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Texas Instruments 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 15V   增益 -  Texas Instruments 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.25dB @ 1kHz  Texas Instruments 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.25dB @ 1kHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.25dB @ 1kHz  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 3.25dB @ 1kHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号