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产品规格

封装/外壳	16-DIP（0.300"，7.62mm）
制造商	Texas Instruments
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	16-PDIP
晶体管类型	7 NPN 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 500μA，350mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	100V
关键词

产品资料

数据列表	SN75468-69
标准包装	25
其它名称	SN75469NE4 SN75469NE4-ND

封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  Texas Instruments 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 通孔  Texas Instruments 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Texas Instruments 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 管件   Texas Instruments 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件   Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-PDIP  Texas Instruments 供应商器件封装 16-PDIP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP   晶体管类型 7 NPN 达林顿  Texas Instruments 晶体管类型 7 NPN 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 7 NPN 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Texas Instruments 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   电流 - 集电极截止（最大值） -  Texas Instruments 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Texas Instruments 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 500μA，350mA   频率 - 跃迁 -  Texas Instruments 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 -  Texas Instruments 功率 - 最大值 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 -   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Texas Instruments 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 100V  Texas Instruments 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V  Texas Instruments 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 100V