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产品规格

封装/外壳	24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	24-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2.1nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	300 毫欧 @ 1.5A，10V
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.5A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	98pF @ 14V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 1mA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	2.86W
关键词

产品资料

标准包装	1,000
其它名称	296-10859-5

封装/外壳 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Texas Instruments 封装/外壳 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Texas Instruments 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   Texas Instruments 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  Texas Instruments 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 24-SOIC  Texas Instruments 供应商器件封装 24-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 24-SOIC  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 24-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 10V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 1.5A，10V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 1.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 1.5A，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 1.5A，10V   FET 类型 -  Texas Instruments FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.5A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 98pF @ 14V  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 98pF @ 14V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 98pF @ 14V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 98pF @ 14V   FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 1mA   漏源电压（Vdss） 20V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 2.86W  Texas Instruments 功率 - 最大值 2.86W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.86W  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.86W