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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	+2V，-15V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	11.25nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	90 毫欧 @ 2.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.7V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.3A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	791mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	15V
关键词

产品资料

数据列表	TPS1101, TPS1101Y
制造商产品页	TPS1101DRG4 Specifications
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Texas Instruments 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Texas Instruments 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Texas Instruments 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOIC   技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） +2V，-15V  Texas Instruments Vgs（最大值） +2V，-15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +2V，-15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） +2V，-15V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.25nC @ 10V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.25nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.25nC @ 10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.25nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.5A，10V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.5A，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 2.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  Texas Instruments 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，10V   FET 类型 P 沟道  Texas Instruments FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.3A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Texas Instruments FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA   功率耗散（最大值） 791mW（Ta）  Texas Instruments 功率耗散（最大值） 791mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 791mW（Ta）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 791mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 15V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 15V