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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	5.45nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	180 毫欧 @ 1.5A，10V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.17A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	15V
功率 - 最大值	840mW
关键词

产品资料

数据列表	TPS1120, TPS1120Y
制造商产品页	TPS1120DR Specifications
标准包装	1
其它名称	296-1352-1

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 制造商 Texas Instruments  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Texas Instruments   安装类型 表面贴装  Texas Instruments 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Texas Instruments 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Texas Instruments 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Texas Instruments 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V  Texas Instruments 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.45nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 1.5A，10V  Texas Instruments 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 1.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 1.5A，10V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 1.5A，10V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Texas Instruments FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.17A  Texas Instruments 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.17A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.17A  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.17A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Texas Instruments 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Texas Instruments 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 15V  Texas Instruments 漏源电压（Vdss） 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 15V  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 15V   功率 - 最大值 840mW  Texas Instruments 功率 - 最大值 840mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 840mW  Texas Instruments 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 840mW