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XP151A13A0MR
XP151A13A0MR -
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Torex Semiconductor Ltd
Torex Semiconductor Ltd
制造商产品编号:
XP151A13A0MR
仓库库存编号:
XP151A13A0MR-ND
描述:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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XP151A13A0MR产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Torex Semiconductor Ltd
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
220pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
XP151A13A0MR(G)
标准包装
3,000
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Torex Semiconductor Ltd
Torex Semiconductor Ltd 制造商 Torex Semiconductor Ltd
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Torex Semiconductor Ltd
Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Torex Semiconductor Ltd
安装类型 表面贴装
Torex Semiconductor Ltd 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 SOT-23
Torex Semiconductor Ltd 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±8V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Torex Semiconductor Ltd 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 500mA,4.5V
Torex Semiconductor Ltd 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 500mA,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.5V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
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功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
Torex Semiconductor Ltd 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 20V
Torex Semiconductor Ltd 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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