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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Torex Semiconductor Ltd
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-23
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	250 毫欧 @ 400mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	700mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	500mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	XP152A11E5MR(G)
标准包装	3,000
其它名称	XP152A11E5MR XP152A11E5MR-ND

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Torex Semiconductor Ltd 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Torex Semiconductor Ltd  Torex Semiconductor Ltd 制造商 Torex Semiconductor Ltd  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Torex Semiconductor Ltd  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Torex Semiconductor Ltd   安装类型 表面贴装  Torex Semiconductor Ltd 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Torex Semiconductor Ltd 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Torex Semiconductor Ltd 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Torex Semiconductor Ltd 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Torex Semiconductor Ltd 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23  Torex Semiconductor Ltd 供应商器件封装 SOT-23  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23   技术 MOSFET（金属氧化物）  Torex Semiconductor Ltd 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Torex Semiconductor Ltd Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Torex Semiconductor Ltd 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 400mA，10V  Torex Semiconductor Ltd 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 400mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 400mA，10V  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 400mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Torex Semiconductor Ltd 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 P 沟道  Torex Semiconductor Ltd FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Ta）  Torex Semiconductor Ltd 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Ta）  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 700mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 10V  Torex Semiconductor Ltd 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 10V  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 160pF @ 10V   FET 功能 -  Torex Semiconductor Ltd FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Torex Semiconductor Ltd 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Torex Semiconductor Ltd 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 500mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 30V  Torex Semiconductor Ltd 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V  Torex Semiconductor Ltd 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 30V