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1SS196(TE85L,F) - 

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

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Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196(TE85L,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1SS196(TE85L,F)
仓库库存编号：
1SS196(TE85LF)CT-ND
描述：
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
标准 表面贴装 二极管 100mA SC-59-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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1SS196(TE85L,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SC-59-3  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  500nA @ 80V  
  反向恢复时间（trr）  4ns  
  电流 - 平均整流（Io）  100mA  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.2V @ 100mA  
  工作温度 - 结  125°C（最大）  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向（Vr）（最大值）  80V  
  不同?Vr，F 时的电容  3pF @ 0V，1MHz  
  速度  小信号 =< 200mA（Io），任意速度  
关键词         

产品资料
数据列表 1SS196
标准包装 1
其它名称 1SS196(TE85LF)CT

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