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1SS250(TE85L,F)
1SS250(TE85L,F) -
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
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制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
1SS250(TE85L,F)
仓库库存编号:
1SS250(TE85LF)CT-ND
描述:
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 100mA SC-59
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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1SS250(TE85L,F)产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SC-59
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 200V
反向恢复时间(trr)
60ns
电流 - 平均整流(Io)
100mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.2V @ 100mA
工作温度 - 结
125°C(最大)
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
200V
不同?Vr,F 时的电容
3pF @ 0V,1MHz
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
关键词
产品资料
数据列表
1SS250
标准包装
1
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