1SS315TPH3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 射频
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1SS315TPH3F
1SS315TPH3F -
DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
1SS315TPH3F
仓库库存编号:
1SS315TPH3FCT-ND
描述:
DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode Schottky - Single 5V USC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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1SS315TPH3F产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-76,SOD-323
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
USC
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
肖特基 - 单
不同?Vr,F 时的电容
0.6pF @ 0.2V,1MHz
电流 - 最大值
30mA
电压 - 峰值反向(最大值)
5V
不同?If,F 时的电阻
-
关键词
产品资料
数据列表
1SS315
标准包装
1
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1SS315TPH3FCT
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别名:GRPB052VWVNRC
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别名:490-5216-1
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别名:732-5295
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