1SV282TPH3F,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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1SV282TPH3F
1SV282TPH3F -
DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号:
1SV282TPH3F
仓库库存编号:
1SV282TPH3FCT-ND
描述:
DIODE VARACTOR 34V SINGLE ESC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 34V Surface Mount ESC
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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1SV282TPH3F产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-79,SOD-523
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
安装类型
表面贴装
工作温度
125°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
ESC
二极管类型
单一
不同?Vr,F 时的电容
3pF @ 25V,1MHz
电压 - 峰值反向(最大值)
34V
电容比
12.5
电容比条件
C2/C25
不同 Vr,F 时的 Q 值
-
关键词
产品资料
数据列表
1SV282
标准包装
1
其它名称
1SV282TPH3FCT
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封装/外壳 SC-79,SOD-523
Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-79,SOD-523
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-79,SOD-523
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-79,SOD-523
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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安装类型 表面贴装
Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
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工作温度 125°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带(CT)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 已不再提供
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 已不再提供
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 ESC
Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ESC
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二极管类型 单一
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 单一
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
不同?Vr,F 时的电容 3pF @ 25V,1MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr,F 时的电容 3pF @ 25V,1MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 3pF @ 25V,1MHz
Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 3pF @ 25V,1MHz
电压 - 峰值反向(最大值) 34V
Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向(最大值) 34V
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电压 - 峰值反向(最大值) 34V
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电容比 12.5
Toshiba Semiconductor and Storage 电容比 12.5
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电容比条件 C2/C25
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不同 Vr,F 时的 Q 值 -
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二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 -
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