1SV311(TPH3,F),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

1SV311(TPH3,F) - 

DIODE VARACTOR 10V ESC

  • 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。
Toshiba Semiconductor and Storage 1SV311(TPH3,F)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1SV311(TPH3,F)
仓库库存编号：
1SV311(TPH3F)CT-ND
描述：
DIODE VARACTOR 10V ESC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Varactor Single 10V Surface Mount ESC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

1SV311(TPH3,F)产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-79，SOD-523  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  125°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  ESC  
  二极管类型  单一  
  不同?Vr，F 时的电容  5.45pF @ 4V，1MHz  
  电压 - 峰值反向（最大值）  10V  
  电容比  2.1  
  电容比条件  C1/C4  
  不同 Vr，F 时的 Q 值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 1SV311
标准包装 1
其它名称 1SV311(TH3F)CT
1SV311(TH3F)CT-ND
1SV311(TPH3F)CT
1SV311FCT
1SV311FCT-ND

1SV311(TPH3,F)相关搜索

封装/外壳 SC-79，SOD-523  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 SC-79，SOD-523  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-79，SOD-523  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 SC-79，SOD-523   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 125°C（TJ）  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 125°C（TJ）  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -   包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 剪切带（CT）   二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）   Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 ESC  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 ESC  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 ESC  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 ESC   二极管类型 单一  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一   不同?Vr，F 时的电容 5.45pF @ 4V，1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Vr，F 时的电容 5.45pF @ 4V，1MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 5.45pF @ 4V，1MHz  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 5.45pF @ 4V，1MHz   电压 - 峰值反向（最大值） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 电压 - 峰值反向（最大值） 10V  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电压 - 峰值反向（最大值） 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电压 - 峰值反向（最大值） 10V   电容比 2.1  Toshiba Semiconductor and Storage 电容比 2.1  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 2.1  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 2.1   电容比条件 C1/C4  Toshiba Semiconductor and Storage 电容比条件 C1/C4  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C4  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 C1/C4   不同 Vr，F 时的 Q 值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vr，F 时的 Q 值 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 -  Toshiba Semiconductor and Storage 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号