2SA1013-O,T6MIBF(J,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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2SA1013-O,T6MIBF(J - 

TRANS PNP 1A 160V TO226-3

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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1013-O,T6MIBF(J
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制造商产品编号：
2SA1013-O,T6MIBF(J
仓库库存编号：
2SA1013-OT6MIBF(J-ND
描述：
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1A 50MHz 900mW Through Hole TO-92L
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2SA1013-O,T6MIBF(J产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-226-3，TO-92-3 长体  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  上次购买时间  
  供应商器件封装  TO-92L  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  60 @ 200mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  160V  
  Power - Max  900mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  1μA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  1.5V @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  50MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ

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